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变频器启动控制方法分为以下几种：本机键盘方式启动：键盘变频器控制面板上都有这样几个按钮“FWD”“REV”“STOP”“FWD”为正传启动键，按下为正传启动。“REV”为反转启动键，按下为反传启动。“STOP”为停止键，按下为停机。端子方式启动：端子排列图将变频器的控制端子FWD与COM短接时正传启动，断停机。将变频器的控制端子REV与COM短接时正反转，断停机。端子启动接线图通讯方式启动：plc编程通过RS485端子控制变频器启动。晶闸管又称可控硅，其与场效应管一样，皆为半导体器件，它们的外形封装也基本一样，但它们在电路中的用途却不一样。TO-220封装的BT136双向晶闸管。TO-220封装的N沟道MOS场效应管。晶闸管可分为单向晶闸管和双向晶闸管两种。它们在电子电路中可以作为电子关使用，用来控制负载的通断；可以用来调节交流电压，从而实现调光、调速、调温。另外，单向晶闸管还可以用于整流。晶闸管在日常中用的很广，像家里用的声控灯，一般采用BT16MCR100-6这类小功率单向晶闸管作为电子关驱动灯泡工作。当电动机实际功率有富余时，可以考虑选用功率小于电动机功率的变频器，但要注意瞬时峰值电流是否会造成过电流保护动作。当变频器与电动机功率不相同时，则必须相应调整节能程序的设置，以达到较高的节能效果。变频器在U/F为常数的工作方式下，电动机启动转矩与频率成正比，所以在低频启动时，启动转矩极小。，10Hz时某Y系列电动机输出转矩约为额定转矩的50％，所以在选择电动机类型时，要特别注意低频启动转矩的变化。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。用三相四线电能表能准确计量三相三线。但还配用相应的电压电压互感器（如果有的话）箱式高压计量电表也和低压电度表的接线方法一样的，只是那种箱式高压计量采用电压电流互感器降压减流后供给电度表使用的。原理和接线都是一样。从计量箱的A相即1S1接到有功表的电流进线柱，再从有功表的电流出线柱接到无功表的电流进线柱，然后无功表的电流出线接到计量箱的1S2即可，C相接线也是一样的。电压接线是从计量箱的UUUC分别接到有功、无功表的电压接线柱即可。
